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   卧式化学气相沉积炉(沉积SiC、BN)


卧式化学气相沉积炉(SiC、BN)用于硅烷为气源的材料表面抗氧化涂层、基体改性等。


技术特征 

采用先进的控制技术,能精密控制MTS的流量和压力,炉膛内沉积气流稳定,压力波动范围小;
采用特殊结构沉积室,密封效果好,抗污染能力强;
采用多通道沉积气路,流场均匀,无沉积死角,沉积效果好;
对沉积产生的高腐蚀性尾气、易燃易爆气体、固体粉尘及低熔点粘性产物能进行有效处理;
采用最新设计防腐蚀真空机组,持续工作时间长,维修率极低。


卧式化学气相沉积炉(沉积SiC、BN)产品规格


参数\型号

HCVD

-060609-SIC

HCVD

-101015-SIC

HCVD

-121220-SIC

HCVD

-151530-SIC

HCVD

-252035-SIC

工作区尺寸

W×H×L(mm)

600×600

×900

1000×1000

×1500

1200×1200

×2000

1500×1500

×3000

2500×2000

×3500

最高温度

(℃)

1500

1500

1500

1500

1500

温度均匀

(℃)

±7.5

±7.5

±10

±10

±10

极限真空

(Pa)

1-100

1-100

1-100

1-100

1-100

压升率

(Pa/h)

0.67

0.67

0.67

0.67

0.67

以上参数可根据工艺要求进行调整,不作为验收依据,具体以技术方案和协议为准。

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