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   立式化学气相沉积炉(沉积炭)

立式化学气相沉积炉(沉积炭)可用于以碳氢气体(如C3H8、CH4等)为碳源的材料表面或基体等温CVD/CVI处理。

技术特征
采用多温区独立控温,温度均匀性好;
采用特殊结构沉积室,密封效果好,抗污染能力强;
采用多通道沉积气路,流场均匀,无沉积死角,沉积效果好;
对炭沉积过程中产生的焦油、固体粉尘、有机气体等能进行有效的处理。


立式化学气相沉积炉(沉积炭)产品规格


参数\型号

Spec.\Model

VCVD-0305-C

VCVD-0608-C

VCVD-0812-C

VCVD-1120-C

VCVD-2632-C

工作区尺寸D×Hmm

Φ300×500

Φ600×800

Φ800×1200

Φ1100×2000

Φ2600×3200

最高温度

(℃)

1500

1500

1500

1500

1500

温度均匀性(℃)

±5

±7.5

±7.5

±10

±10

极限真空度(Pa

1-100

1-100

1-100

1-100

1-100

压升率

Pa/h

0.67

0.67

0.67

0.67

0.67

以上参数可根据工艺要求进行调整,不作为验收依据,具体以技术方案和协议为准。

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